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米国輸出管理規制アップデート~2024年12月対中国向け半導体輸出規制の拡大~

NO&T U.S. Law Update 米国最新法律情報

NO&T International Trade Legal Update 国際通商・経済安全保障ニュースレター

※本ニュースレターは情報提供目的で作成されており、法的助言ではありませんのでご留意ください。また、本ニュースレターは発行日(作成日)時点の情報に基づいており、その時点後の情報は反映されておりません。特に、速報の場合には、その性格上、現状の解釈・慣行と異なる場合がありますので、ご留意ください。


はじめに

 2024年12月2日、米国商務省産業安全保障局(the U.S. Department of Commerce’s Bureau of Industry and Security、以下「BIS」といいます。)は、既存の先端コンピューティング及び半導体製造関連品目に関する輸出管理規則(Export Administration Regulations、以下「EAR」といいます。)を改訂・拡大する最終暫定規則案(Foreign-Produced Direct Product Rule Additions, and Refinements to Controls for Advanced Computing and Semiconductor Manufacturing Items※1、以下「本規則案」といいます。)を公表しました。本規則案は、中国による次世代先端兵器システムや軍事的に重要な用途を有する人工知能(AI)・先端コンピューティングに利用可能な先端ノード半導体(advanced-node semiconductors)を生産する能力を制限することを主たる目的としており、①新たな直接製品規制の追加、②先端ノード集積回路(advanced-node IC)の製造に必要な一定の装置や関連品目に関する規制の拡大、③HBM(High Bandwidth Memory)に関する規制の追加、④ソフトウェアライセンスキーに関する規制の追加等を定めるものとなっています。

 また、同日、BISは、エンティティ・リスト※2に新たに140の主体を追加すること、16の主体をエンティティ・リストの脚注5付掲載者へ変更すること、認証最終需要者プログラム(Validated End-User Program)から3当事者を除外すること等を規定した最終規則(Additions and Modifications to the Entity List; Removals from the Validated End-User (VEU) Program※3)を合わせて公表しています。

 これまで、BISは、軍事‐民生融合(Military-Civil Fusion)を通じ2049年までに世界最高水準の軍事力を達成するという中国の国家目標を米国の国家安全保障に対する重大な脅威と認定し、半導体が当該中国の国家目標に果たす役割の重要性を鑑み、一貫して対中国向けの半導体関連の輸出規制の強化を続けています。①2022年10月7日に公表した暫定最終規則案(Implementation of Additional Export Controls: Certain Advanced Computing and Semiconductor Manufacturing Items; Supercomputer and Semiconductor End Use; Entity List Modification※4)では、先端コンピューティング用集積回路、一定の半導体製造装置、スーパーコンピュータに関連する取引等を広くEARの規制対象とし※5、②2023年10月17日に公表した2つの暫定最終規則案(Export Controls on Semiconductor Manufacturing Items※6及びImplementation of Additional Export Controls: Certain Advanced Computing Items; Supercomputer and Semiconductor End Use; Updates and Corrections※7)では、①の規制の迂回を防止しEARによるコントロールの実効性を高める観点から、先端コンピューティング及び半導体製造装置関連の規制の明確化・更なる規制強化が図られてきましたが※8、本規則案は①②を中心とした対中国向けの輸出管理における規制強化の延長に位置付けられるものとなっています。以下、本規則案の概要・ポイントをご説明いたします。

新たな直接製品規制の追加

1. エンティティ・リストの脚注5付掲載者向けの直接製品に関する新規制(§ 734.9(e)(3))

(1) 概要

 本規則案は、以下の①製品条件及び②エンドユーザー条件を満たす場合、非米国産の半導体製造装置及び関連する産品について、新たな直接製品規制を通じてEARの規制対象とすることを規定しています。新たな直接製品規制の適用がある場合、中国向けに限らず、全世界への輸出・再輸出・国内移転がライセンスの対象となる可能性があり、例えば日本国内企業に対する日本国内における移転を前提とした取引であっても、最終的に当該移転先企業によって脚注5付エンティティ・リスト掲載者向けの製品に組み込まれることを知り得る場合については、ライセンスが必要となる場合があります。

①製品条件

(i) ECCN 3B001(3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、g、h、kからn、p.2、p.4及びrを除く)、3B002(3B002.cを除く)、3B903、3B991(3B991.b.2.aから3B991.b.2.bを除く)、3B992、3B993又は3B994に該当する非米製産品(commodity※9)であること、かつ

(ii) 以下のいずれかの条件を満たすこと

(a) ECCN 3D001(3Bに該当する産品のための)、3D901(3B903のための)、3D991(3B991及び3B992のための)、3D993、3D994、3E001(3Bに該当する産品のための)、3E901(3B903のための)、3E991(3B991及び3B992のための)、3E993又は3E994に該当するEAR対象品目の技術又はソフトウェアの直接製品であること

(b) ECCN 3D001(3Bに該当する産品のための)、3D901、3D991(3B991及び3B992のための)、3D992、3D993、3D994、3E001(3Bに該当する産品のための)、3E901(3B903のための)、3E991(3B991及び3B992のための)、3E992、3E993又は3E994に該当する米国産の技術又はソフトウェアの直接製品である米国外に所在する工場又は工場の主要な要素(設備等)によって生産されたこと

(c) ECCN 3D001(3Bに該当する産品のための)、3D901、3D991(3B991及び3B992のための)、3D992、3D993、3D994、3E001(3Bに該当する産品のための)、3E901(3B903のための)、3E991(3B991及び3B992のための)、3E992、3E993又は3E994に該当する米国産の技術又はソフトウェアの直接製品である米国外に所在する工場又は工場の主要な要素(設備等)によって生産された非米国産の産品を含むこと

②エンドユーザー条件

(i) 脚注5付エンティティ・リスト掲載者が製造、購入若しくは発注する部品、部材若しくは装置に組み込まれることを知っている(”knowledge”)若しくは知り得る場合、又は

(ii) 脚注5付エンティティ・リスト掲載者が当該非米国産品目の取引に関与することを知っている(”knowledge”)若しくは知り得る場合

 上記①(ii)(c)は、従来の直接製品規制には見られなかった新たなタイプの要件となっており、非米国産の品目であり、かつ、当該品目に含まれる集積回路が非米国産の場合であっても、当該集積回路が一定のECCNに該当する米国産の技術又はソフトウェアの直接製品である米国外に所在する工場で生産された場合には、上記製品条件を満たすこととなります※10。そのため、米国産の半導体製造装置やソフトウェアにより製造された集積回路を含む非米国産の半導体製造装置は、広く本直接製品規制の対象に含まれることとなります。また、BISは、①(ii)(c)の要件の判断に関して、Supplement No.3 to Part 732のRed Flagに新たな内容(Red Flag 26)を追加しています。すなわち、集積回路の開発及び生産において米国由来の特定の半導体製造装置及びソフトウェアが広く使われている実態を踏まえ、非米国産品目が①(i)に規定する産品に該当し、かつ、当該産品が少なくとも1つ以上の集積回路を含む場合、①の製品条件を満たすRed Flagに該当することとされています。

(2) 0%デミニミスルール(§ 734.4(a)(9))

 本規則案は、脚注5付エンティティ・リスト掲載者向けの直接製品に関する新規制の導入に合わせて、3BのECCNカテゴリーに該当する非米国製産品(3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、g、h、kからn、p.2、p.4、r及び3B002.cを除く)について、当該産品がCCLのカテゴリー3、4又は5に特定された米国産の集積回路を含む場合であり、かつ、当該産品が脚注5付エンティティ・リスト掲載者向けの場合について、米国原産品目の全体に占める価額に関わらず当該産品をEAR対象品目とするいわゆる0%デミニミスルールを追加しています。当該追加により、脚注5付エンティティ・リスト掲載者向けの産品の場合、米国原産の集積回路が含まれている場合はいかなるレベルであってもEAR対象品目となります。

(3) 許可要件(§ 744.11(a)(2)(v)(A))

 脚注5付エンティティ・リスト掲載者向けの直接製品ルールによりEARの規制対象となった産品は、以下の状況を満たす場合において、その輸出・再輸出・国内移転につき輸出許可が必要となります。

  1. ECCN 3B993に該当する産品

    • マカオ又はカントリー・グループ※11「D:5」に指定されている国に本社を置く主体又は当該国に本社を置く主体が最終親会社である主体による外国からの輸出又は再輸出
    • Supplement No. 4 to Part 742に記載されていないカントリー・グループ「A:5」に属する国(その国が当該産品に同等の規制を課していない場合に限る)からの輸出又は再輸出
    • 「A:5」に指定されていない国からのSupplement No. 4 to Part 742に属する国に本社を置く主体による外国からの輸出又は再輸出
    • Supplement No. 4 to Part 742に属する国に本社を置く主体が最終親会社である主体による、脚注5付エンティティ・リスト掲載者が所在する国における国内移転
  2. ECCN 3B001(3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、g、h、kからn、p.2、p.4及びrを除く)、3B002(3B002.cを除く)、3B611、3B903、3B991(3B991.b.2.aから3B991.b.2.bを除く)、3B992、3B993又は3B994に該当する産品

    • 「A:5」に指定されていない国からのSupplement No. 4 to Part 742に属さない国に本社を置く主体による外国からの輸出又は再輸出
    • Supplement No. 4 to Part 742に属さない国に本社を置く主体が最終親会社である主体による、脚注5付エンティティ・リスト掲載者が所在する国における国内移転

2. 半導体製造装置の直接製品に関する新規制(§ 734.9(k))

(1) 概要

 本規則案は、以下の①製品条件及び②仕向地条件を満たす場合、非米国産の半導体製造装置及び関連する品目について、新たな半導体製造装置の直接製品規制を通じてEARの規制対象とすることを規定しています。

①製品条件

(i) ECCN 3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、kからn、p.2、p.4、r、又は3B002.cに該当する非米国製産品であること、かつ

(ii) 以下のいずれかの条件を満たすこと

(a) EAR対象品目であり、かつ、ECCN 3D992又は3E992に該当する技術又はソフトウェアの直接製品であること

(b) ECCN 3D001(3Bに該当する産品のための)、3D901、3D991(3B991及び3B992のための)、3D992、3D993、3D994、3E001(3Bに該当する産品のための)、3E901(3B903のための)、3E991(3B991及び3B992のための)、3E992、3E993又は3E994に該当する米国産の技術又はソフトウェアの直接製品である工場又は工場の主要な要素(設備等)によって生産されたこと

(c) ECCN 3D001(3Bに該当する産品のための)、3D901、3D991(3B991及び3B992のための)、3D992、3D993、3D994、3E001(3Bに該当する産品のための)、3E901(3B903のための)、3E991(3B991及び3B992のための)、3E992、3E993又は3E994に該当する米国産の技術又はソフトウェアの直接製品である工場又は工場の主要な要素(設備等)によって生産された非米国産の製品を含むこと

②仕向地条件

仕向地がマカオ又はカントリー・グループ「D:5」に指定された国であることを知っている(”knowledge”)又は知り得る場合

(2) 0%デミニミスルール(§ 734.4(a)(8))

 上記1(2)と同様、本規則案は、新たな半導体製造装置の直接製品規制の導入に合わせて、3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、g、h、kからn、p.2、p.4、r又は3B002.cに該当する非米国製産品について、当該産品がCCLのカテゴリー3、4又は5に特定された米国産の集積回路を含む場合、かつ、当該産品がマカオ又はカントリー・グループ「D:5」に指定された国向けの場合、米国原産品目の全体に占める価額に関わらず、当該産品をEAR対象品目とする、いわゆる0%デミニミスルールを追加しています(但し、National Security(国家安全保障規制)の許可要件の例外(§ 742.4(a)(4))又はRegional Stability(地域安定規制)の許可要件の例外(§ 742.6(a)(6))に該当する場合は除くこととされています。)。

(3) 許可要件(§ 742.6(a)(6))

 § 742.6(a)(6)は、ECCN 3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、kからn、p.2、p.4、r、又は3B002.cに該当する品目(①(i)に列挙された類型の品目)並びに関連するソフトウェア又は技術をマカオ又はカントリー・グループ「D:5」に指定された国に輸出・再輸出・国内移転する場合、Regional Stability(地域安定規制)を根拠に輸出許可の取得が必要である旨を規定していますが、本規則案は当該許可要件を維持しています。

RFF許可例外の追加

 本規則案は、旧型の半導体製造装置を含む一定のEAR対象品目について、エンティティ・リストに掲載されているものの、先端ノード集積回路の製造を行っていないとBISが判断した主体に対する輸出・再輸出・国内移転を許可するための「制限製造施設」(Restricted Fabrication Facility)向けの許可例外(以下「RFF許可例外」といいます。)を新たに規定しています(§ 740.26)。RFF許可例外では、ECCN 3B001、3B002、3B993、3B994、3D992、3D993、3D994、3E992、3E993又は3E994に該当しないEAR対象品目を「制限製造施設」に輸出・再輸出・国内移転する場合、①当該品目が先端ノード集積回路の製造に利用されないこと、及び②「制限製造施設」におけるECCN 3B001.a.4、c、d、f.1、f.5、kからn、p.2、p.4、r、3B002.c、3B993又は3B994の稼働、備え付け、メンテナンス等に利用されないことを条件として、輸出許可の取得が不要となります。但し、RFF許可例外によっても、Part 742が規定する仕向地に基づく許可要件又はPart 744が規定するエンドユーザーに基づく許可要件をクリアすることは出来ないとされているため、これらの許可要件に基づき輸出許可が必要となる場合、RFF許可例外を利用することは出来ません。

 なお、本ニュースレター発行時点において、エンティティ・リスト上で「制限製造施設」として指定されているのは、Wuhan Xinxin Semiconductor Manufacturing Company Limitedのみとなっています。

エンドユース規制の拡大

1. 半導体製造装置に関するエンドユース規制の拡大(§ 734.23(a)(2)及び(4))

 本規則案は、§ 734.23が規定する半導体製造装置に関するエンドユース規制の対象を、以下のとおり拡大しています。

  1. EARの規制対象となる電子コンピュータ支援設計(ECAD)又は技術コンピュータ支援設計(TCAD)のソフトウェア及び技術の輸出・再輸出・国内移転を行う場合、マカオ又はカントリー・グループ「D:5」に指定されている国で生産される先端ノード集積回路の設計に使用されることを知っている又は知り得る場合は上記エンドユース規制の対象とする(§ 734.23(a)(2)(ii))。
  2. § 734.23(a)(4)(i)の許可要件(EAR対象であり、かつ、一定の半導体製造装置の部品、部材等の開発又は生産を目的とした最終用途でマカオ又はカントリー・グループ「D:5」に指定された国向けに輸出される場合の全ての品目を対象とする。)を拡大するため、フロントエンド(前工程)の要件が廃止され、対象となる一定の半導体製造装置のリストを更新し、新たなECCN項目を追加。その結果、EARの対象であり、かつ、CCLに記載されている物品が、マカオ又はカントリー・グループ「D:5」に指定された国向けに一定の半導体製造装置の部品、部材等の開発又は生産等に使用される場合、例えば当該半導体製造装置が集積回路の性能を変更しないバックエンド(後工程)での使用を目的とするものであっても、輸出許可が必要。

2. 先端ノード集積回路の定義の変更

 上記エンドユース規制の拡大に伴い、対象となる先端ノード集積回路の定義が改訂され、先端ノード集積回路に含まれるDRAMの技術的要件が以下のとおり見直されました。

  1. メモリセルの面積が0.0019平方マイクロメートル(μm2)未満のもの、又は
  2. メモリ密度が平方ミリメートルあたり0.288ギガビットを超えるのもの

ECCNの追加・改訂

1. HBM(High Bandwidth Memory)

(1) ECCN 3A090.cの追加

 HBMは、非常に高いデータ転送速度を持ったDRAMであり、近年AIやスーパーコンピュータ等の先端技術において欠かすことの出来ない半導体製造技術となっています。本規則案は、HBMの重要性に鑑み、ECCN 3A090に新たに”.c”のカテゴリーを追加しています。当該追加により、非米国製のHBMは、先端コンピューティング直接製品規制(§ 734.9(h))の対象に含まれることとなります。ECCN 3A090.cにおいて対象とされるHBMは、メモリ帯域幅密度(width density)※12が1平方ミリメートルあたり1秒あたり2ギガバイトを超えるものと指定されており、現在製造されているHBMは全てこの基準を満たすこととされています。なお、集積回路又はコンピュータや電子アセンブリ等の高度な産品に組み込まれたHBMに関しては、ECCN 3A090.a若しくはb、ECCN 4A090.a若しくはb又は各ECCNの「.z」で管理される場合もあります。

(2) ECCN 3A090.cに関する許可要件の改訂・許可例外の追加(§ 742.6(a)(6)(i)(B)、§ 740.25)

 ECCN 3A090の追加に伴い、本規則案は§ 742.6(a)(6)(i)(B)を改訂し、ECCN 3A090.c、3D001(3A090.cのための)及び3E001(3A090.cのための)に該当するHBM関連の品目につきマカオ又はカントリー・グループ「D:5」に指定された国への輸出・再輸出・国内移転を行う場合、ライセンスの取得が必要であるとしています。他方で、本規則案は§ 740.25として新たな許可例外を追加し、メモリ帯域幅密度が1平方ミリメートルあたり1秒あたり3.3ギガバイト未満のECCN 3A090.cに該当する品目が、マカオ又はカントリー・グループ「D:5」に指定された国に最終親会社の本社が置かれていない米国又はカントリー・グループ「A:5」に指定された国の企業から輸出等がなされる場合、かつ、一定の条件を満たした場合には当該許可例外が利用出来る旨を規定しています。

2. 半導体製造装置

 本規則案は、半導体製造装置及び関連するソフトウェア・技術に対する規制を拡大するため、新たに8つのECCN(3B993、3B994、3D992、3D993、3D994、3E992、3E993及び3E994)を追加し、また、既存の7つのECCN(3B001、3B002、3B991、3B992、3D001、3D002及び3E001)を改訂しています。各追加・改訂の内容は非常に技術的な要素を含んでいるため、本NLにおいてその詳細は割愛しますが、特に半導体製造装置に関連する事業を行う日本企業においては、自社の品目管理として各ECCN該当性をあらためて検討する必要があります。

ソフトウェアキーに関する規制

 本規則案は、§ 734.19に新しいパラグラフ(b)を追加しています。当該パラグラフ(b)では、「ソフトウェアキー」又は「ソフトウェアライセンスキー」を、ソフトウェア又はハードウェアへのアクセスを提供したり、既存のソフトウェア又はハードウェアの利用ライセンスを更新したりすることで、ユーザーがソフトウェア又はハードウェアを使用出来るようにする機能を持つものと定義した上で、「ソフトウェアキー」又は「ソフトウェアライセンスキー」はそれらが利用を可能にするハードウェア又はソフトウェアと同じECCNで管理されることが明らかとされました。そのため、ハードウェア又はソフトウェアの輸出・再輸出・国内移転につきライセンスの取得が必要な場合は、対応する「ソフトウェアキー」又は「ソフトウェアライセンスキー」の提供についても同様にライセンスの取得が求められることとなります。

おわりに

 本規則案に対し、2024年12月3日、中国商務部は、輸出管理法等の関連法令に基づいて、米国向け両用品目の輸出管理を強化する旨を発表し※13、①両用品目(全般)について、米国軍事ユーザー又は軍事用途への輸出を禁止し、②ガリウム、ゲルマニウム、アンチモン、超硬材料関連の両用品目については、米国への輸出を原則として許可せず、黒鉛の両用品目については、エンドユーザー及び最終用途についてより厳格な審査を行うとし、また、③「いかなる国及び地域の組織及び個人も、上記規定に違反して中国原産の関連両用品目を米国の組織又は個人に移転又は提供した場合は、法律責任を追及する」とする対抗措置を速やかに講じています。

 2025年1月20日に大統領に就任したトランプ氏は、バイデン政権下で行われていた政策を180度転換する大統領令等を次々と発出していますが、輸出管理の分野においては、従前行われていた対中国向けの輸出規制の厳格化が今後も継続することが予想されており、それに対抗した中国側の対米国向けの輸出規制も今後過熱していくものと思われます。また、2025年1月に中国企業により発表された生成AI「DeepSeek」は、米国製の最先端半導体を用いず低コストで高度な生成AIの開発に成功した点で世界中に衝撃を与えましたが、米国ではDeepSeekに対して東南アジアの仲介企業を通じNVIDIAの先端半導体が供給されていた可能性が指摘・調査されており、昨今の対中国向けの輸出規制の厳格化では未だ不十分である、BISによる取り締まり・執行をより強化すべきであるとの機運も高まっています。このような状況下に置いて、米国及び中国の企業との取引関係がある日本企業においては、常に輸出管理規制の最新動向を注視し、自社のサプライチェーンについて継続的なモニタリング・厳格な管理を実施することが求められています。

脚注一覧

※2
エンティティ・リストとは、EARのもとで整備されている、米国の国家安全保障や外交政策に反する活動に関与していると考えられる個人、法人及び団体等のリストのことをいいます。エンティティ・リスト及びエンティティ・リスト掲載者への輸出規制の詳細は、当事務所発行の米国最新法律情報No.53「米国輸出管理規制アップデート~エンティティ・リストの更新とFAQsの公表~」(2021年1月)をご確認ください。

※5
2022年10月7日に公表した暫定最終規則案の詳細は、当事務所発行の米国最新法律情報No.82「米国輸出管理規制アップデート~対中輸出規制の強化~」(2022年11月)をご確認ください。

※8
2023年10月17日に公表した2つの暫定最終規則案の詳細は、当事務所発行の米国最新法律情報No.107/国際通商・経済安全保障ニュースレター No.13「米国輸出管理規制アップデート~先端コンピューティング及び半導体製造装置関連の輸出管理規制の強化~」(2023年12月)をご確認ください。

※9
装置や特定の目的のために設計された部品・部材・アクセサリー等が含まれることとされていますが、技術やソフトウェアは”Commodity”の定義から除かれています(§ 772.1)。

※10
§ 734.9(e)(3)(i)(B)(2)のNote 3も参照。

※12
新たに追加されたTechnical Noteによれば、「メモリ帯域幅密度」とは、1秒あたりギガバイト単位で測定されたパッケージ又はスタックのメモリ帯域幅を、平方ミリメートル単位で測定されたパッケージ又はスタックの面積で割った値です。

※13
中国商務部による輸出管理強化の詳細は、当事務所発行のアジア最新法律情報No.216「両用品目輸出管理条例の施行について(追記:12月3日付け米国向け両用品目輸出管理強化の商務部公告)(中国)」(2024年12月)をご確認ください。

本ニュースレターは、各位のご参考のために一般的な情報を簡潔に提供することを目的としたものであり、当事務所の法的アドバイスを構成するものではありません。また見解に亘る部分は執筆者の個人的見解であり当事務所の見解ではありません。一般的情報としての性質上、法令の条文や出典の引用を意図的に省略している場合があります。個別具体的事案に係る問題については、必ず弁護士にご相談ください。


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